埃芯自主研發的High Yield?系列產品采用穆勒矩陣和反射式光譜混合技術，可以量測薄膜的厚度、光學常數(折射率n、消光系數k等)、能帶寬度、缺陷等膜層參數，具備多層堆疊等復雜結構的量測能力？稍诓皇褂肧WE情況下對nm級別的超薄膜進行工藝控制。此系統適用于材料能隙監控...
?thena Xcellence? T系列X射線薄膜量測系統(Fast XRR & GIXRF)采用自由組合式的快速X射線反射技術(XRR)及X射線熒光技術GIXRF, XRF(掠入射角或常規入射角)，可以對應先進或成熟制程薄膜、超薄膜，包括復雜多層結構的量測，提供精確快速的各類金屬薄膜、金屬化合物，以及部分輕元素...
?thena Xcellence? LE系列采用自主研發的高通量X射線熒光(XRF)技術，提供B, P, C, O, N, F等各種輕元素的成分量測，是BPSG, PSG, FSG, P doped Poly, CHM等薄膜成分量測的理想選擇。此外，邏輯，先進存儲DRAM, MRAM, VNAND的各類金屬薄膜，多層電路薄膜厚度量測等也是該設備的標準應用。
埃芯自主研發的HighYield? Competence系列光學關鍵尺寸量測平臺適用于FinFET, V-NAND, DRAM以及其他前沿技術節點等復雜結構的關鍵尺寸量測。用于顯影后(ADI)、刻蝕后(AEI)等多個工藝段的二維或三維樣品微尺度形貌，例如側壁高度、深度、寬度等高精度關鍵尺寸測量。此系統適用于在線制程監測...
隨著半導體技術的不斷發展，工藝越來越復雜，關鍵尺寸越來越小，波長在埃米級別的X射線CD檢測在未來半導體晶圓制造量測領域將會扮演重要角色，埃芯自主研發的?thena Xcellence? Competence X射線關鍵尺寸量測機臺，具備更高解析度，可以應對一定的7nm, 5nm邏輯制程或高深寬比的先進3D NAND制程...
晶圓表面各類污染、沾污、金屬污染將導致器件的失效，埃芯自主研發的全反射X射線熒光(TXRF)測量技術為晶圓加工提供了快速、準確的表晶圓表面污染檢測手段。
埃芯自主研發的?thena Xcellence? D系列快速X射線衍射(XRD)量測設備，提供對各類Epi材料晶格結構及膜厚的分析手段，例如SiGe的stress, strain, composition, relaxation, THK等在線或者線下量測。此系統適用于工藝開發、材料應力工程開發、設備監控，工藝設備匹配等復雜應用。